Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFSL3004PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 1.4 340 380 TO-262
IRFS3004PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 1.4 340 380 D2-PAK
IRFB3004PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 1.4 340 380 TO-220AB
IRLSL3034PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.6 1.4 343 375 TO-262
IRLS3034PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.6 1.4 343 375 D2-PAK
IRLB3034PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.6 1.4 343 375 TO-220AB
BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 300 - - 4800 - 3700 350 1.5 SOT-223-4
NVMFS5C404NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 1 0.75 352 200 DFN-5
IXFK360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 360 1250 TO-264
IXFX360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 360 1250 PLUS247
IXFN360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 360 830 SOT-227
IXTH360N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 360 935 TO-247
IXTT360N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 360 935 TO-268
IXFK360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 4 4 4 4 4 360 1670 TO-264
IXFX360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 4 4 4 4 4 360 1670 TO-247
BSP126 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 250 - - - - 2800 375 1.5 SOT-223-4
IRLS3034-7PPbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.2 1 380 380 D2-PAK-7
IXFH400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-247
IXFT400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-268
IRFS3004-7PPbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 0.9 400 380 D2-PAK-7




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019