Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
SQJQ402E MOSFET-транзистор семейства TrenchFET® с максимальным током стока до 200 А и напряжением сток-исток до 40 В Vishay MOSFET
 N 1 40 - - - 2 1.7 200 150 PowerPAK 8x8
IXTK200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 200 1040 TO-264
IXTX200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 200 1040 PLUS247
IXTK200N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 800 TO-264
IXFN200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 680 SOT-227
IXFX200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 830 PLUS247
IXFK200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 830 TO-264
IXFN200N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 70 6 6 6 6 6 200 520 SOT-227 B
IRFBA1404P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 40 - - - - 3.7 206 300 TO-273AA
IRFP2907 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 4.5 209 330 TO-247AC
IRFP3703 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - - 2.8 210 230 TO-247AC
IRF2204 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 40 - - - - 3.6 210 330 TO-220AB
IRFB3206PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 60 - - - - 3 210 300 TO-220AB
IXFB210N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 10.5 10.5 10.5 10.5 10.5 210 1500 PLUS264
IRFB3077PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 3.3 210 370 TO-220AB
TSM210N06CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 210 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - - 3.1 210 250 TO-220
IRF3703 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - - 2.8 210 230 TO-220AB
IRF7480MTRPBF N-канальный MOSFET-транзистор семейства StrongIRFET™ в корпусе DirectFET® Infineon Technologies MOSFET
 N 1 40 - - - - 1.2 217 96 DirectFET-ME
IXTA220N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-263
IXTP220N055T TrencN-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники