Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTP260N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 260 480 TO-220
IXTA260N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 260 480 TO-263
FDI025N06 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1.9 265 395 TO-262
I2PAK
IRLSL3036PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - 2.2 1.9 270 380 TO-262
IRLS3036PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - 2.2 1.9 270 380 D2-PAK
IRLB3036PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - 2.2 1.9 270 380 TO-220AB
IXTV270N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3 3 3 3 3 270 625 PLUS220
IXTV270N055T2S N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3 3 3 3 3 270 625 PLUS220SMD
STV270N4F3 N-channel 40 V, 1.25 m?, 270 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 1.25 270 300 PowerSO-10
IRFSL3006PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 2 270 375 TO-262
IRFS3006PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 2 270 375 D2-PAK
IRFB3006PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 2.1 270 375 TO-220AB
IRF2804S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 D2-PAK
IRF2804L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 TO-262
IRF2804 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 TO-220AB
IXFN280N085 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET ISSI MOSFET
N 1 85 - - - - 4.4 280 700 SOT-227
STV300NH02L N-channel 24V - 0.8m? - 280A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 24 - - - - 0.8 280 300 PowerSO-10
IXFN280N085 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 280 700 SOT-227
IXFN280N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 70 5 5 5 5 5 280 600 SOT-227 B
IXTV280N055TS N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 280 550 PLUS220SMD




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019