Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTA220N055T7 N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-263-7
IXTV230N085TS TrenchMV Power MOSFET IXYS MOSFET
N 1 85 - - - - 3.7 230 550 PLUS220SMD
IXTV230N085T TrenchMV Power MOSFET IXYS MOSFET
N 1 85 - - - - 3.7 230 550 PLUS220
IXTQ230N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 TO-3P
IXTP230N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-220
IXTH230N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 TO-247
IXTA230N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-263
IXFH230N10T N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 4.7 4.7 4.7 4.7 4.7 230 650 TO-247
IXFH230N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-247
IXTV230N85T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 PLUS220
IXTV230N85TS N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 PLUS220SMD
IRFSL3107PbF 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 2.5 230 370 TO-262
IRFS3107PbF 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 2.5 230 370 D2-PAK
IXFA230N075T2 N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-263
IXFP230N075T2 N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-220AB
IXFK170N20T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 200 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 230 1670 TO-264
IXFN230N10 N-канальный силовой MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 100 6 6 6 6 6 230 700 SOT-227
IXFX170N20T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 200 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 230 1670 PLUS247
IXFA230N075T2-7 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-263-7
IXTA230N075T2-7 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-263-7




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019