Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STU100N3LF3 N-channel 30V - 0.0045? - 80A - IPAK Planar STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 4.5 80 110 I-PAK
FDPF52N20T N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 41 52 38.5 TO-220F
IRF3415 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 42 43 200 TO-220AB
STB19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 D2-PAK
FCD2250N80Z N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 800 В, 2.6 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 0.00225 2.6 39 D-PAK
PHD9NQ20T N-канальный TrenchMOS™ транзистор NXP MOSFET
N 1 200 - - - - 300 8.7 88 D-PAK
SUD35N10-26P N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 21 35 83 D-PAK
IPD60R600C6 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 540 7.3 63 TO-252
IPD50R280CE 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE Infineon Technologies MOSFET
N 1 500 - - - - 280 42.9 92 TO-252
STD3NK60Z N-CHANNEL 600V - 3.3W - 2.4A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 3300 2.4 45 D-PAK
I-PAK
HUF75639G3 N-Channel UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 21 56 200 TO-247
IRFZ48S HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 18 50 190 D2-PAK
STP20NF20 N-channel 200V - 0.10? -18A- TO-220 Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 100 18 90 TO-220
IRFD224 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 1100 0.63 1 HEXDIP
IRFS23N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 100 24 170 D2-PAK
STP11NM80 N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 350 11 150 TO-220
STD10NF10 N-channel 100V - 0.115? - 13A - DPAK - IPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 115 13 50 D-PAK
I-PAK
FDB3502 75V N-Channel Power Trench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 75 - - - - 37 6 3.1 D2-PAK
FQP90N10V2 100V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 8.5 90 250 TO-220
STD5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ?,4.4 A,IPAK,DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 520 - - - - 1220 4.4 70 D-PAK
I-PAK




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019