FDMT80080DC N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 80 В, 254 А

 

Блок-схема

FDMT80080DC, N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 80 В, 254 А
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 80
RDS(ON) 10 В,мОм 1.35
ID 254
PD,Вт 156
Корпус PQFN 8x8

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Конструкция транзистора с верхней охлаждающей поверхностью и низким тепловым сопротивлением перехода кристалл-теплоотвод
  • Единая система монтажа для корпусов размером 5 мм x 6 мм и 3.3 мм x 3.3 мм
  • Соответствие промышленному стандарту корпусов PQFN-JEDEC
  • Уровень чувствительности к влажности (MSL): 1
  • Прибор обеспечивает высокие токи стока и способен рассеивать повышенную тепловую мощность
  • Высокая плотность мощности для преобразователей постоянного напряжения
  • Может применяться как с дополнительным теплоотводом, так и без такового, что снижает общую стоимость готового изделия
  • Высокая степень унификации с продуктами в стандартных корпусах PQFN
  • Семейство включает транзисторы с напряжением сток-исток от 25 В до 150 В

Область применения:

  • Системы управления электродвигателями
  • Инверторы и преобразователи постоянного напряжения
  • Промышленное оборудование
  • Телекоммуникации
  • Серверы
Datasheet
 
FDMT80080DC (357.1 Кб), 14.01.2016

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FDMT80080DC N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 80 В, 254 А (357.1 Кб), 14.01.2016




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 418
Дата публикации: 14.01.2016 10:49
Дата редактирования: 14.01.2016 10:50


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019