Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| TN2435 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
|
Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 350 | - | - | - | 15000 | 10000 | 1 | 1.6 |
SOT-89 |
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | 10000 | -0.13 | 0.3 |
SOT-23-3 |
| ZVP4525E6 | 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -250 | - | - | - | - | 10000 | -0.197 | 1.1 |
SOT-23-6 |
| ZVP4525Z | 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -250 | - | - | - | - | 10000 | -0.205 | 1.2 |
SOT-89 |
| CPC3710C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 0.22 | 1.6 |
SOT-89 |
| TSM1NB60SCT | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 2.5 |
TO-92 |
| ZVP4525G | 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -250 | - | - | - | - | 10000 | -0.265 | 2 |
SOT-223-4 |
| TSM1NB60CW | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 2.1 |
|
| TSM1NB60CH | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 39 |
|
| IXTT1H100 | High Voltage MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.5 | 60 |
|
| IXTH1H100 | High Voltage MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.5 | 60 |
|
| IXTP1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 54 |
TO-220 |
| IXTA1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 54 |
|
| IXTP1R4N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.4 | 63 |
TO-220 |
| NTD20P06L | Power MOSFET ?60 V, ?15.5 A, Single P?Channel, DPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 11000 | -15.5 | 65 |
D-PAK |
| IRFBG20PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.4 | 54 |
TO-220AB |
| IRFBG20 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.4 | 54 |
TO-220AB |
| IXTY1R4N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.4 | 63 |
TO-252 |
| IXTY1N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 0.75 | 40 |
|
| IXTP1N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 0.75 | 40 |
TO-220 |
