IXFN200N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Блок-схема

Группа компонентов

Основные параметры

Общее описание

Не рекомендуется использовать для новых разработок.

Особенности:

• V_DSS от 60V до 1200V
• I_D(25) от 3A до 340A
• Лавинная устойчивость
• Высокая надёжность
• Устойчивость к высокому dv/dt
• Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
• Низкое значение R_DS(on)
• Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
• Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение

IXFN200N07

IXYS

Поставки и консультации:

МТ-Систем

Тел: (812) 325 3685

Тел: (812) 786 8579 (факс)

Дистрибуторы

• Элтех
• МТ-Систем

Дилеры

• Аргуссофт
• Дельта Сибири
• Золотой Шар

Где купить ещё