IXFN200N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFN200N07, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 70
RDS(ON) 1.8 В,мОм 6
RDS(ON) 2,7 В,мОм 6
RDS(ON) 2,5 В,мОм 6
RDS(ON) 4.5 В,мОм 6
RDS(ON) 10 В,мОм 6
ID 200
PD,Вт 520
Корпус SOT-227 B

Общее описание

Не рекомендуется использовать для новых разработок.

Особенности:

  • VDSS от 60V до 1200V
  • ID(25) от 3A до 340A
  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFN200N07 (33.3 Кб), 30.12.2011

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFN200N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (33.3 Кб), 30.12.2011




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 410
Дата публикации: 30.12.2011 11:16
Дата редактирования: 30.12.2011 11:19


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019