Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTY4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-252
TN0106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 60 - - - 2000 1600 2 1 TO-92
IXTU4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-251
2N7002E N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - 2000 1600 0.24 0.3 SOT-23-3
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
TP0202K P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 30 - - - 2100 1250 0.385 0.35 SOT-23-3
IXTA6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-263
IXTH6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-247
IXTP6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-220AB
BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 55 3100 - 2400 2300 - 300 0.7 SOT-323
BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 55 - - 2400 2300 - 335 0.83 SOT-23-3
TN2404K N-Channel 240-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 240 - - 2400 2300 2200 0.3 0.8 SOT-23-3
IXTY1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-252
IXTP1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-220AB
IXTA1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-263
FDG6301N Dual N-Channel, Digital FET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 25 - - 3700 2600 2600 0.22 0.3 SC70-6
IXTT6N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 2600 2600 2600 2600 2600 6 300 TO-268
IXTH6N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 2600 2600 2600 2600 2600 6 300 TO-247AD
BSH201 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
 P 1 60 - - - 2700 2100 0.3 0.417 SOT-23-3
IXFH6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники