IXTX200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)
|
Блок-схема  Группа компонентов MOSFETОсновные параметры
|
 IXTx200N10L2 (133.8 Кб), 23.01.2012
Поставки и консультации:
Тел: (812) 325 3685
Тел: (812) 786 8579 (факс)
|
Datasheet
IXTx200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) (133.8 Кб), 23.01.2012
| Автор документа: Жанна Свирина, Кол-во просмотров: 478 |
Дата публикации: 23.01.2012 08:55 Дата редактирования: 23.01.2012 08:56 |
