IXTX200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTX200N10L2, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 11
RDS(ON) 2,7 В,мОм 11
RDS(ON) 2,5 В,мОм 11
RDS(ON) 4.5 В,мОм 11
RDS(ON) 10 В,мОм 11
ID 200
PD,Вт 1040
Корпус PLUS247
Datasheet
 
IXTx200N10L2 (133.8 Кб), 23.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) (133.8 Кб), 23.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 478
Дата публикации: 23.01.2012 08:55
Дата редактирования: 23.01.2012 08:56


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019