IXFX200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFX200N10P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 7.5
RDS(ON) 2,7 В,мОм 7.5
RDS(ON) 2,5 В,мОм 7.5
RDS(ON) 4.5 В,мОм 7.5
RDS(ON) 10 В,мОм 7.5
ID 200
PD,Вт 830
Корпус PLUS247

Общее описание

Datasheet
 
IXFK200N10P, IXFX200N10P (113.8 Кб), 05.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFK200N10P, IXFX200N10P Polar HiPerFET Power MOSFETs (113.8 Кб), 05.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 464 Дата публикации: 05.02.2009 15:08
Дата редактирования: 10.01.2012 08:26


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019