Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTT10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-268
IXTP3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-220AB
IXTA3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-263
IXFH7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-247AD
IXFT7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-268
DMP2004WK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -0.4 0.25 SOT-323
DMP2004VK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 2 -20 1700 - - 700 - -0.53 0.4 SOT-563
DMP2004TK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
DMP2004K P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -6.6 0.55 SOT-23-3
DMP2004DWK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 2 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.25 SOT-363
DMP2004DMK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 2 -20 1700 - - 700 - -0.55 0.5 SOT-26
DMP22D6UT P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
IXTP5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-220
IXTA5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-263
IXTM6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXTH6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247
DMN5L06TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 50 1800 - - - - 0.28 0.15 SOT-523
Si1023X Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 2 20 1800 - 1200 800 - 0.37 0.25 SC89-6
Si1013X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.25 SC89-3
Si1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.15 SC75A
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники