Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFT18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-268
IXFT120N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 16 16 16 16 16 120 600 TO-268
IXFK36N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 190 190 190 190 190 36 650 TO-268
IXFT32N50Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 160 160 160 160 160 32 416 TO-268
IXFT26N55Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 550 230 230 230 230 230 26 375 TO-268
IXFT66N20Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 40 40 40 40 40 66 400 TO-268
IXFT20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-268
IXTT140P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 14 14 14 14 14 -140 568 TO-268
IXTT64N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 49 49 49 49 49 64 400 TO-268
IXTT40N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 170 170 170 170 170 40 540 TO-268
IXTT11P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 750 750 750 750 750 -11 300 TO-268
IXFT70N20Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 40 40 40 40 40 70 690 TO-268
IXTT50P085 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -185 55 55 55 55 55 -50 300 TO-268
IXTT10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-268
IXTT60N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 240 240 240 240 240 24 360 TO-268
IXFT80N10 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 80 300 TO-268
IXTT30N600P PolarHV Power MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 30 540 TO-268
IXFT58N20 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 40 40 40 40 40 58 300 TO-268
IXTT8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-268
IXTT12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники