Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STE180NE10 | N-channel 100V - 4.5m? - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4500 | 180 | 360 |
|
| STH310N10F7-6 | N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.3 | 180 | 315 |
|
| IXFX180N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 180 | 560 |
|
| IRLS4030PbF | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 3.4 | 3.6 | 180 | 370 |
D2-PAK |
| FB180SA10 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6.5 | 180 | 480 |
SOT-227 |
| STH310N10F7-2 | N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.3 | 180 | 315 |
|
| IXFK180N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 180 | 560 |
|
| IRLB4030PbF | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 3.6 | 3.4 | 180 | 370 |
TO-220AB |
| IXTQ182N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 182 | 360 |
|
| IXTH182N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 182 | 360 |
|
| IXTA182N055T7 | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 182 | 360 |
TO-263-7 |
| IXTP182N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 182 | 360 |
TO-220 |
| IXTA182N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 182 | 360 |
|
| IRLBA1304P | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 6.5 | 4 | 185 | 300 |
|
| IXFN210N20P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 188 | 1070 |
|
| IRLS4030-7PPbF | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 3.3 | 3.2 | 190 | 370 |
D2-PAK-7 |
| TSM190N08CZ | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 75 В, 190 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 70 | - | - | - | - | 4.2 | 190 | 250 |
TO-220 |
| IRF1503S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 3.3 | 190 | 200 |
D2-PAK |
| IRF1503L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 3.3 | 190 | 200 |
TO-262 |
| IRFS4010-7PPbF | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 3.3 | 190 | 380 |
D2-PAK-7 |
