Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
TK31Z60X N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В Toshiba MOSFET
N 1 600 - - - - 88 30.8 230 TO-247-4
STB8NM60D N-CHANNEL 600V - 0.9? - 8A - D2PAK Fast Diode MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 900 8 100 D2-PAK
FDB2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 22.9 62 260 D2-PAK
IRF7451 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 90 3.6 2.5 SOIC-8
STP95N4F3 N-channel 40V - 5.4m? - 80A - TO-220 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 TO-220
IPB021N06N3G OptiMOS™ 3 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.8 120 250 TO-263-3
FQP24N08 80V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 48 24 75 TO-220
STI24NM65N N-channel 650 V - 0.16 ? - 19 A - I2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 160 19 160 I2PAK
TSM4NB50CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 2700 3 45 TO-252
IRFI9620GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 1500 3 30 TO-220F
IRFR5410 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 100 - - - - 205 13 66 D-PAK
FDU3N40 400V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 2800 2 30 I-PAK
STB21NM50N N-channel 500V - 0.15? - 18A D2/I2PAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 150 18 140 D2-PAK
I2PAK
IRFP340PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 550 11 150 TO-247AC
STP12NK80Z N-channel 800V - 0.65? - 10.5A - TO-220 Zener - Protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 650 10.5 190 TO-220
IRFZ46NL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 16.5 53 120 TO-262
IXTD110N25T-8W Trench Gate Power MOSFET Die IXYS MOSFET
N 1 250 - - - - 24 110 - Die
STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012? - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 12 38 45 TO-220FP
IRF740A HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 550 10 125 TO-220AB
STB20NK50Z N-CHANNEL 500V -0.23?- 17A D2PAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 230 17 190 D2-PAK




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019