+ BSH111, N-channel enhancement mode field-effect transistor
 

BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor

 

Блок-схема

BSH111, N-channel enhancement mode field-effect transistor

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 55
RDS(ON) 2,7 В,мОм 2400
RDS(ON) 4.5 В,мОм 2300
ID 335
PD,Вт 0.83
Корпус SOT-23-3
Datasheet
 
BSH111 (281.6 Кб), 15.09.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor (281.6 Кб), 15.09.2008




Автор документа: Оксана Данова, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1845
Дата публикации: 15.09.2008 12:51
Дата редактирования: 15.09.2008 12:54


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019