Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 418 419 420 421 422 423 424 425 426 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFA6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-263
IXFP6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-220AB
IXFA5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-263
IXFP5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-220
IXFH5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-247
NTK3142P Small Signal MOSFET ?20 V, ?280 mA, P?Channel with ESD Protection, SOT?723 ON Semiconductor MOSFET
 P 1 -20 6100 - - 2900 - -0.26 -0.4 SOT-723
IXTY3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-252
IXTA3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-263
IXTP3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-220
DMN601WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - 3000 2000 0.8 0.2 SOT-323
DMN601VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 60 - - - 3000 2000 0.305 0.25 SOT-563
IXFT4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-268
Si1926DL Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 60 - - - 3000 1400 0.37 0.51 SC70-6
IXFH4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-247AD
SiA850DJ N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode Vishay MOSFET
 N 1 190 3500 - 3200 3000 - 0.95 7 PowerPAK SC70-6
IXFP4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-263
Si1029X Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N+P 2 60 - - - 3000 1300 0.3 0.25 SC89-6
IXFA4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-220
Si1026X N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 60 - - - 3000 1400 0.305 0.25 SC89-6
IXFR4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 3.5 80 ISOPLUS247
Страницы: предыдущая 1 ... 418 419 420 421 422 423 424 425 426 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники