IXTA1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения

 

Блок-схема

IXTA1R6N50D2, N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 2300
RDS(ON) 2,7 В,мОм 2300
RDS(ON) 2,5 В,мОм 2300
RDS(ON) 4.5 В,мОм 2300
RDS(ON) 10 В,мОм 2300
ID 1.6
PD,Вт 100
Корпус TO-263
Datasheet
 
IXTx1R6N50D2 (179.6 Кб), 20.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения (179.6 Кб), 20.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 486
Дата публикации: 20.01.2012 16:14
Дата редактирования: 20.01.2012 16:14


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019