Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 419 420 421 422 423 424 425 426 427 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
Si1022R N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor Vishay MOSFET
 N 1 60 - - - 3000 1250 0.33 0.25 SC75A
IXFP4N100QM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 2.2 46 TO-220-3 ISO
FDC6301N Dual N-Channel , Digital FET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 25 - - 3800 3100 - 0.22 0.9 SSOT-6
FDV301N Digital FET , N-Channel Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 25 - - 3800 3100 - 0.22 0.35 SOT-23-3
TN2640LG-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 400 - - - 3200 3000 4 1.3 SOIC-8
TN2640K4-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 400 - - - 3200 3000 4 2.5 D-PAK
TO-252
TN2640N3-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 400 - - - 3200 3000 4 0.74 TO-92
IXFP4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-220
IXFA4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-263
IXFP4N100PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 2.5 57 TO-220-3 ISO
IXTA4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-263
IXTP4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-220
IXTH6N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1500 3500 3500 3500 3500 3500 6 540 TO-247
IXFA3N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 3600 3600 3600 3600 3600 3.6 100 TO-263
IXFP3N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 3600 3600 3600 3600 3600 3.6 100 TO-220
IXTN8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 7.5 700 SOT-227 B
IXTX8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 PLUS247
IXTK8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 TO-264
IXTY2R4N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 3750 3750 3750 3750 3750 2.4 55 TO-252
IXTP2R4N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 3750 3750 3750 3750 3750 2.4 55 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 419 420 421 422 423 424 425 426 427 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники