Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 413 414 415 416 417 418 419 420 421 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFM10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-204AA
IXFH10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-247AD
FDY2000PZ -20V Dual P-Channel Specified PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 2 -20 2700 1600 - 1200 - -0.35 0.625 SOT-563
IXTT8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-268
IXTH8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-247
IXTH12N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1300 1300 1300 1300 1300 12 400 TO-247
2N7002W Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?Channel, SC?70 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1330 1190 0.31 0.28 SC70
2N7002K Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N?Channel, SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1330 1190 0.32 0.3 SOT-23-3
NTZD5110N Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Dual N?Channel with ESD Protection, SOT?563 ON Semiconductor MOSFET
 N 2 60 - - - 1330 1190 0.294 0.25 SOT-563
IXFV12N120PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220SMD
IXFV12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220
IXFV10N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220
IXTM6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-204AA
IXFV10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220SMD
IXFH10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 TO-247
IXTH6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-247
Si1330EDL N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 60 - - - 1400 1000 0.24 0.28 SC70-3
FDW2501NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 20 - - - 1400 - 5.5 1 TSSOP-8
IXTT10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-268
IXTH10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 413 414 415 416 417 418 419 420 421 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники