Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
HUF75337S3S N-Channel UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 11 75 175 TO-263AB
STW23NM60N N-channel 600 V - 0.150 ? - 19 A - TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 19 150 TO-247
STH140N8F7-2 N-канальный транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 90 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 4 90 200 H2PAK-2
IRFR9210 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 3000 1.9 25 D-PAK
IRFU6215 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 150 - - - - 295 13 110 I-PAK
FDC6305N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - - 60 2.7 0.96 SSOT-6
STI21N65M5 N-channel 650 V, 0.159 ?, 17 A MDmesh™ V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 710 - - - - 159 17 125 I2PAK
STW25NM50N N-channel 500V - 0.11? - 22A - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 110 22 160 TO-247
IRFPC40PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 6.8 150 TO-247AC
ZVN4210A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 100 - - - - 1500 0.45 0.7 TO-92
STV250N55F3 N-channel 55 V - 1.5 m? - 250 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 1.5 250 300 PowerSO-10
STB9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1W - 7.5A D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 700 - - - - 1000 7.5 115 D2-PAK
I2PAK
IRL2505S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 8 104 200 D2-PAK
IRF840ALPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 8 125 TO-262
FQB8N60CF 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 1250 6.26 147 D2-PAK
STD100N3LF3 N-channel 30V - 0.0045? - 80A - DPAK Planar STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 4.5 80 110 D-PAK
STW24NK55Z N-channel 550 V - 0.18 ? - 23 A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 550 - - - - 180 23 285 TO-247
IRFIZ44N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 24 31 38 TO-220
FDP52N20 N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 41 52 357 TO-220
PHP9NQ20T N-канальный TrenchMOS™ транзистор NXP MOSFET
N 1 200 - - - - 300 8.7 88 TO-220AB
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019