Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STF19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220FP second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 35 TO-220FP
IXFH70N30Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 300 54 54 54 54 54 70 830 TO-247
IXFB44N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 220 220 220 220 220 44 1250 PLUS264
STP95N4F3 N-channel 40V - 5.4m? - 80A - TO-220 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 TO-220
FDP8441 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 2.1 80 300 TO-220AB
SUM110P06-07L P-Channel 60-V (D-S) 175°C MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - 7 5.5 110 375 D2-PAK
SiR402DP N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 6.4 4.8 50 36 PowerPAK_SO-8
IXTK40P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 230 230 230 230 230 -40 890 TO-264
STH310N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
FQP19N20 200V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 120 19.4 140 TO-220
STF19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220FP second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 35 TO-220FP
STL21N65M5 N-канальный силовой MOSFET на 650В, 0.175 Ω, 17A в корпусе PowerFLAT™ (8x8) STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 190 17 125 PowerFLAT
IRF2804S-7P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 1.6 320 330 D2-PAK
STD12NM50N N-channel 500 V, 0.29 ?, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET DPAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 290 11 100 D-PAK
NCV8403 Защищенные MOSFET-транзисторы для управления вторичными цепями ON Semiconductor MOSFET
N 1 42 - - - - 53 15 1.56 SOT-223-4
DPAK-4
IXFK180N10 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 8 8 8 8 8 180 560 TO-264
STI33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 140 24 190 I2PAK
PH1875L N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET NXP MOSFET
N 1 75 - - - 14.6 13.3 45.8 62.5 SOT-669
FDD5810 N-Channel Logic Level Trench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 18 37 72 TO-252
PHD38N02LT N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 20 - - - 13.5 - 44.7 57.6 D-PAK




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019