Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXFH70N30Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 54 | 54 | 54 | 54 | 54 | 70 | 830 |
|
| STF19NM65N | N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220FP second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 250 | 15.5 | 35 |
|
| STP95N4F3 | N-channel 40V - 5.4m? - 80A - TO-220 STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 5.4 | 80 | 110 |
TO-220 |
| IRFB42N20D | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 55 | 44 | 300 |
TO-220AB |
| FDP8441 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.1 | 80 | 300 |
TO-220AB |
| SUM110P06-07L | P-Channel 60-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 60 | - | - | - | 7 | 5.5 | 110 | 375 |
D2-PAK |
| FQP19N20 | 200V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 120 | 19.4 | 140 |
TO-220 |
| STH310N10F7-2 | N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.3 | 180 | 315 |
|
| IXTK40P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | -40 | 890 |
|
| STF19NM65N | N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220FP second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 250 | 15.5 | 35 |
|
| SiR402DP | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 6.4 | 4.8 | 50 | 36 |
PowerPAK_SO-8 |
| STL21N65M5 | N-канальный силовой MOSFET на 650В, 0.175 Ω, 17A в корпусе PowerFLAT™ (8x8) |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 190 | 17 | 125 |
|
| IXFK180N10 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 180 | 560 |
|
| NCV8403 | Защищенные MOSFET-транзисторы для управления вторичными цепями |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 42 | - | - | - | - | 53 | 15 | 1.56 |
SOT-223-4 |
| STD12NM50N | N-channel 500 V, 0.29 ?, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET DPAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 290 | 11 | 100 |
D-PAK |
| PH1875L | N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | 14.6 | 13.3 | 45.8 | 62.5 |
|
| IRF2804S-7P | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.6 | 320 | 330 |
D2-PAK |
| STI33N65M2 | N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 140 | 24 | 190 |
|
| FDD5810 | N-Channel Logic Level Trench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 18 | 37 | 72 |
TO-252 |
| PHD38N02LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 13.5 | - | 44.7 | 57.6 |
D-PAK |
