Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFK44N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 190 190 190 190 190 44 1200 TO-264
IXTK550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 550 1250 TO-264
IXFK360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 360 1250 TO-264
IXFX32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 32 1250 PLUS247
IXTX550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 550 1250 PLUS247
IXFX360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 360 1250 PLUS247
IXFX44N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 190 190 190 190 190 44 1250 PLUS247
IXFK32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 32 1250 TO-264
IXFK44N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 190 190 190 190 190 44 1250 TO-264
IXFB30N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 350 350 350 350 350 30 1250 PLUS264
IXFX220N15P Polar Power MOSFET HiperFET IXYS MOSFET
 N 1 150 - - - - 9 220 1250 PLUS247
IXFK220N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 9 9 9 9 9 220 1250 TO-264
IXFK220N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 6.3 6.3 6.3 6.3 6.3 220 1250 TO-264
IXFX220N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 6.3 6.3 6.3 6.3 6.3 220 1250 TO-247
IXFB100N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 49 49 49 49 49 100 1250 PLUS264
IXTX20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 PLUS247
IXTX600N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 600 1250 PLUS247
IXFB60N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 140 140 140 140 140 60 1250 PLUS264
IXFK240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 1250 TO-264
IXTK20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники