Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
FDMC86570LET60 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 87 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 6.5 4.3 87 65 Power 33
IRF530NS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 90 17 3.8 D2-PAK
STB200NF03 N-channel 30V - 0.0032? - 120A - D2PAK/I2PAK STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 3.2 120 300 D2-PAK
I2PAK
STW30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 190 TO-247
IXFG55N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 90 90 90 90 90 48 400 ISOPLUS264
IXTQ24N55Q Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 550 270 270 270 270 270 24 400 TO-3P
SUP33N20-60P N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 49 33 156 TO-220
IPB80N06S4L-05 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - 5.4 3.9 80 107 TO-263-3
STP11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 TO-220
IXTP42N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 250 84 84 84 84 84 42 300 TO-220
FQPF19N20 200V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 120 11.8 50 TO-220F
TSM1NB60CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-251
IRF9510 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 100 - - - - 1200 4 43 TO-220AB
IRLB4030PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - 3.6 3.4 180 370 TO-220AB
IRLU7807Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 18.2 13.8 43 40 I-PAK
STP12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 90 TO-220
NTD4805N Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 6 4.3 16 2.24 D-PAK
3 IPAK
I-PAK
FQP3N80C 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 4000 3 107 TO-220
IXFK120N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 300 24 24 24 24 24 120 960 TO-264
IRFIBF20G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 900 - - - - 8000 1.2 30 TO-220F




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019