Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTQ24N55Q | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 550 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 24 | 400 |
|
| IRF530NS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 90 | 17 | 3.8 |
D2-PAK |
| STW30NM60N | N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 100 | 25 | 190 |
|
| FQP2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 4900 | 2.4 | 85 |
TO-220 |
| IXFG55N50 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | 48 | 400 |
|
| FDMC86570LET60 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 87 А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 6.5 | 4.3 | 87 | 65 |
Power 33 |
| SUP33N20-60P | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 49 | 33 | 156 |
TO-220 |
| STP11NM60N | N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 370 | 10 | 90 |
TO-220 |
| TSM1NB60CH | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 39 |
|
| IXTP42N25P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 84 | 84 | 84 | 84 | 84 | 42 | 300 |
TO-220 |
| IPB80N06S4L-05 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 5.4 | 3.9 | 80 | 107 |
TO-263-3 |
| FQPF19N20 | 200V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 120 | 11.8 | 50 |
TO-220F |
| IRF9510 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 100 | - | - | - | - | 1200 | 4 | 43 |
TO-220AB |
| STP12NM60N | N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 350 | 10 | 90 |
TO-220 |
| IXFK120N30T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 120 | 960 |
|
| IRLU7807Z | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 18.2 | 13.8 | 43 | 40 |
|
| NTD4805N | Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 6 | 4.3 | 16 | 2.24 |
D-PAK |
| IRLB4030PbF | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 3.6 | 3.4 | 180 | 370 |
TO-220AB |
| FQP3N80C | 800V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 4000 | 3 | 107 |
TO-220 |
| IRFIBF20G | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 8000 | 1.2 | 30 |
TO-220F |
