Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| Si7224DN | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 29 | 22 | 6 | 23 |
PowerPAK_1212-8 |
| SQJ970EP | Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 40 | - | - | - | 28 | 20 | 8 | 48 |
PowerPAK_SO-8 |
| SQJ200EP | Сборка MOSFET-транзисторов с рабочим напряжением 20 В, в 2-канальном асимметричном корпусе, сертифицированная по автомобильному стандарту AEC-Q101 |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | - | 124 | 88 | 60 | 48 |
PowerPAK_SO-8 |
| NTJD4001N | Small Signal MOSFET 30 V, 250 mA, Dual N-Channel, SC-88 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | - | - | 250 | 272 |
|
| Si4816BDY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 13 | 9.3 | 8.2 | 1.25 |
SOIC-8 |
| FDMB3800N | Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 41 | 32 | 4.8 | 1.6 |
MicroFET |
| NTMD6N04R2 | Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 40 | - | - | - | 34 | 27 | 5.8 | 2 |
SOIC-8 |
| IRF7304 | HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 2 | 20 | - | - | 140 | 90 | - | 4.3 | 2 |
SOIC-8 |
| FDS6812A | Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | - | - | 17 | 6.7 | 2 |
SOIC-8 |
| Si7218DN | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 27 | 20.5 | 24 | 23 |
PowerPAK_1212-8 |
| SQJ964EP | Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | - | 28 | 8 | 35 |
PowerPAK_SO-8 |
| IXTL2x200N085T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 2 | 85 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 112 | 150 |
|
| SQJ202EP | Сборка MOSFET-транзисторов с рабочим напряжением 12 В, в 2-канальном асимметричном корпусе, сертифицированная по автомобильному стандарту AEC-Q101 |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 12 | - | - | - | 93 | 65 | 60 | 48 |
PowerPAK_SO-8 |
| Si3948DV | Dual N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 140 | 8.5 | 2.5 | 1.15 |
|
| NTJD2152P | Trench Small Signal MOSFET 8 V, Dual P?Channel, SC?88 ESD Protection |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | -8 | 510 | - | - | 220 | - | -0.775 | 0.27 |
|
| FDW2503N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | - | 17 | - | 5.5 | 1 |
TSSOP-8 |
| IRF7301 | HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | 70 | 50 | - | 5.2 | 2 |
SOIC-8 |
| Si6993DQ | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 2 | 30 | - | - | - | 38 | 24 | 3.6 | 0.83 |
TSSOP-8 |
| Si6968BEDQ | Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | 23 | 165 | - | 5.2 | 1 |
TSSOP-8 |
| Si9934BDY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 2 | 12 | - | - | 44 | 28 | - | 4.8 | 1.1 |
SOIC-8 |
