Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
Si7224DN Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 29 22 6 23 PowerPAK_1212-8
SQJ970EP Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET Vishay MOSFET
N 2 40 - - - 28 20 8 48 PowerPAK_SO-8
SQJ200EP Сборка MOSFET-транзисторов с рабочим напряжением 20 В, в 2-канальном асимметричном корпусе, сертифицированная по автомобильному стандарту AEC-Q101 Vishay MOSFET
N 2 20 - - - 124 88 60 48 PowerPAK_SO-8
NTJD4001N Small Signal MOSFET 30 V, 250 mA, Dual N-Channel, SC-88 ON Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - - - 250 272 SC-88
Si4816BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 13 9.3 8.2 1.25 SOIC-8
FDMB3800N Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 41 32 4.8 1.6 MicroFET
NTMD6N04R2 Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 ON Semiconductor MOSFET
N 2 40 - - - 34 27 5.8 2 SOIC-8
IRF7304 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 20 - - 140 90 - 4.3 2 SOIC-8
FDS6812A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - - 17 6.7 2 SOIC-8
Si7218DN Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 27 20.5 24 23 PowerPAK_1212-8
SQJ964EP Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET Vishay MOSFET
N 2 60 - - - - 28 8 35 PowerPAK_SO-8
IXTL2x200N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 2 85 6 6 6 6 6 112 150 ISOPLUS_i5
SQJ202EP Сборка MOSFET-транзисторов с рабочим напряжением 12 В, в 2-канальном асимметричном корпусе, сертифицированная по автомобильному стандарту AEC-Q101 Vishay MOSFET
N 2 12 - - - 93 65 60 48 PowerPAK_SO-8
Si3948DV Dual N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 140 8.5 2.5 1.15 TSOP-6
NTJD2152P Trench Small Signal MOSFET 8 V, Dual P?Channel, SC?88 ESD Protection ON Semiconductor MOSFET
P 2 -8 510 - - 220 - -0.775 0.27 SC-88
IRF7301 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 20 - - 70 50 - 5.2 2 SOIC-8
FDW2503N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 17 - 5.5 1 TSSOP-8
Si6993DQ Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 30 - - - 38 24 3.6 0.83 TSSOP-8
Si6968BEDQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection Vishay MOSFET
N 2 20 - - 23 165 - 5.2 1 TSSOP-8
Si9934BDY Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 12 - - 44 28 - 4.8 1.1 SOIC-8




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019