+ STH310N10F7-2, N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

STH310N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7

 

Блок-схема

STH310N10F7-2, N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 10 В,мОм 2.3
ID,А 180
PD,Вт 315
Корпус H2PAK-2

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Напряжение сток-исток VDS: 100 В (макс.)
  • Ток стока ID: 180 А (макс.)
  • Мощность рассеяния: 315 Вт
  • Самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала RDS(ON): 1.9 мОм (тип.) / 2.3 мОм (макс.)
  • Превосходный показатель качества (FoM)
  • Низкое отношение емкости затвор-сток к входной емкости (затвор-исток) Crss/Ciss, гарантирующее высокую стойкость к электромагнитным помехам
  • Рабочая температура перехода TJ: от -55°C до +175°C
  • Корпуса: 2-выводной H2PAK-2 и 6-выводной H2PAK-6

Область применения:

  • Сильноточные схемы коммутации
  • Источники питания
  • Схемы управления электродвигателем
Datasheet
 
STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 (682.8 Кб), 24.08.2016

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ F7, 100 В, 180 А (682.8 Кб), 24.08.2016



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 773 		Дата публикации: 26.09.2013 12:58
Дата редактирования: 24.08.2016 09:27

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники