Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRF740LC HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 550 10 125 TO-220AB
Si1488DH N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 54 - 47 41 15 6.1 2.8 SC70-6
NTS4172N Power MOSFET 30 V, 1.7 A, Single N?Channel, SC?70 ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 64 58 1.6 0.294 SC70
IXFH40N30 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 300 85 85 85 85 85 40 300 TO-247AD
IXTQ200N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 200 550 TO-3P
IRF60DM206 N-канальный MOSFET-транзистор семейства StrongIRFET™ в корпусе DirectFET® Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.9 130 96 DirectFET-ME
STF12NM50N N-channel 500 V, 0.29 ?, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 290 11 25 TO-220FP
DMN2004TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 700 - - 400 - 0.54 0.15 SOT-523
IRF7456 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - 20 7.5 6.5 16 2.5 SOIC-8
STP23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 150 TO-220
IRFH7934PbF 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 4.2 2.9 24 3.1 PQFN-8
NTS4172N Power MOSFET 30 V, 1.7 A, Single N?Channel, SC?70 ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 64 58 1.6 0.294 SC70
IXFR32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 350 350 350 350 350 23 570 ISOPLUS247
PHP96NQ03LT TrenchMOS (tm) logic level FET NXP MOSFET
N 1 25 - - - 5.6 4.2 75 115 TO-220AB
FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 20 - - - - 29 3 0.5 SuperSOT -3
IRLU3410 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - 155 105 17 52 I-PAK
STP9NK70ZFP N-CHANNEL 700V - 1W - 7.5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 700 - - - - 1000 7.5 35 TO-220FP
IXFN32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 320 320 320 320 320 27 690 SOT-227 B
STB30NF10 N-channel 100V - 0.038? - 35A - D2PAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 38 35 115 D2-PAK
FQPF90N10V2 100V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 8.5 90 83 TO-220F




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019