Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
STB24NM65N | N-channel 650 V - 0.16 ? - 19 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 160 | 19 | 160 |
D2-PAK |
|
TSM4NB50CH | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 3 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 2700 | 3 | 45 |
|
|
Si3434DV | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | 42 | 28 | - | 4.6 | 1.14 |
|
|
FDP3682 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36m? | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 32 | 32 | 95 |
TO-220AB |
|
IRFI9620G | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 200 | - | - | - | - | 1500 | 3 | 30 |
TO-220F |
|
MSAER12N50A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Microsemi |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 400 | 12 | 300 |
|
|
NTHS5404 | Power MOSFET 20 V, 7.2 A, N?Channel ChipFET | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | - | 25 | 7.2 | 2.5 |
ChipFET_1206-8 |
|
STB20NM60D | N-channel 600V - 0.26? - 20A - D2PAK FDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 260 | 20 | 192 |
D2-PAK |
|
IXKF40N60SCD1 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 41 | - |
|
|
IRF7706 | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | 36 | 22 | 7 | 1.51 |
TSSOP-8 |
|
FQA28N50F | 500V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 126 | 28.4 | 310 |
|
|
IRFP340 | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 550 | 11 | 150 |
TO-247AC |
|
ZXMN2A14F | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 60 | - | 4.1 | 1 |
SOT-23-3 |
|
STF11NM80 | N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 350 | 11 | 35 |
|
|
STP80NF10 | N-channel 100V - 0.012? - 80A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 12 | 80 | 300 |
TO-220 |
|
IXFX26N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 300 | 300 | 300 | 300 | 300 | 26 | 560 |
|
|
IRFZ46N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 16.5 | 53 | 88 |
TO-220AB |
|
IXTV110N25TS | N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 110 | 694 |
|
|
IRF740 | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 550 | 10 | 125 |
TO-220AB |
|
FDP8441 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.1 | 80 | 300 |
TO-220AB |