Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
TSM4NB50CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 2700 3 45 TO-251
FDP3682 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36m? Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 32 32 95 TO-220AB
STB24NM65N N-channel 650 V - 0.16 ? - 19 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 160 19 160 D2-PAK
IPI023NE7N3G OptiMOS™ 3 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 75 - - - - 2.1 120 300 TO-262
IRFI9620G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 1500 3 30 TO-220F
IRF7706 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 30 - - - 36 22 7 1.51 TSSOP-8
NTHS5404 Power MOSFET 20 V, 7.2 A, N?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 - - - - 25 7.2 2.5 ChipFET_1206-8
IXKF40N60SCD1 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 60 60 60 60 60 41 - ISOPLUS_i4
FQA28N50F 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 126 28.4 310 TO-3P
STB20NM60D N-channel 600V - 0.26? - 20A - D2PAK FDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 260 20 192 D2-PAK
MSAER12N50A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Microsemi MOSFET
N 1 500 - - - - 400 12 300 CoolPack1
IRFP340 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 550 11 150 TO-247AC
IRFZ46N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 16.5 53 88 TO-220AB
STF11NM80 N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 350 11 35 TO-220FP
IXFX26N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 300 300 300 300 300 26 560 PLUS247
IXTV110N25TS N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 250 24 24 24 24 24 110 694 PLUS220SMD
STP80NF10 N-channel 100V - 0.012? - 80A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 12 80 300 TO-220
ZXMN2A14F 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
N 1 20 - - - 60 - 4.1 1 SOT-23-3
IRF740 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 550 10 125 TO-220AB
IRFB42N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 55 44 300 TO-220AB




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019