Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STP75NF20 N-channel 200V - 0.028? - 75A - TO-220 Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 28 75 190 TO-220
IXTP86N20T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 200 29 29 29 29 29 86 480 TO-220
NTB75N06 Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 8.2 75 214 D2-PAK
IRFI730G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 1000 3.7 35 TO-220F
IRFSL3307ZPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 5.8 120 230 TO-262
IXTP70N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 85 13.5 13.5 13.5 13.5 13.5 70 176 TO-220
2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 4400 0.115 0.3 SOT-23-3
STU6NF10 N-channel 100 V, 0.22 ?, 6 A, IPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 220 6 30 I-PAK
IXFT50N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 145 145 145 145 145 50 1040 TO-268
IXTU01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-251 AA
FB180SA10 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 6.5 180 480 SOT-227
IRF7450 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 170 2.5 3 SOIC-8
IXFL82N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 80 80 80 80 80 82 625 ISOPLUS264
FQA27N25 250V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 250 - - - - 83 27 210 TO-3PN
STD95N4F3 N-channel 40V - 5.4m? - 80A - DPAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 D-PAK
IXFN200N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 70 6 6 6 6 6 200 520 SOT-227 B
STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 900 8 100 TO-220
TK25Z60X N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В Toshiba MOSFET
N 1 600 - - - - 12.5 25 180 TO-247-4
Si3434DV N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - 42 28 - 4.6 1.14 TSOP-6
FDP3682 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36m? Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 32 32 95 TO-220AB




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019