STI33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А
|
Блок-схема  Группа компонентов MOSFETОсновные параметры
Общее описаниеСемейство транзисторов MDmesh M2 является новым словом в технологии суперперехода, отличаясь меньшим сопротивлением открытого канала RDS(ON), по сравнению с предшественниками, более низким зарядом затвора QGD и меньшей входной и выходной ёмкостью (Ciss/Coss). Вместе эти преимущества приводят к снижению потерь энергии и уменьшению тепловыделения, что в свою очередь позволяет увеличить частоту переключения и КПД конечных решений. А увеличенное до 650 В напряжение пробоя сток-исток способствует росту уровня надёжности системы в целом. |
 STB33N65M2, STF33N65M2, STP33N65M2, STI33N65M2 (794.6 Кб), 05.02.2015
|
Datasheet
STB33N65M2, STF33N65M2, STP33N65M2, STI33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А (794.6 Кб), 05.02.2015
| Автор документа: Жанна Свирина, Кол-во просмотров: 404 |
Дата публикации: 05.02.2015 18:22 Дата редактирования: 05.02.2015 18:24 |
