+ STI33N65M2, N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А
 

STI33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А

 

Блок-схема

STI33N65M2, N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 650
RDS(ON) 10 В,мОм 140
ID 24
PD,Вт 190
Корпус I2PAK

Общее описание

Семейство транзисторов MDmesh M2 является новым словом в технологии суперперехода, отличаясь меньшим сопротивлением открытого канала RDS(ON), по сравнению с предшественниками, более низким зарядом затвора QGD и меньшей входной и выходной ёмкостью (Ciss/Coss). Вместе эти преимущества приводят к снижению потерь энергии и уменьшению тепловыделения, что в свою очередь позволяет увеличить частоту переключения и КПД конечных решений. А увеличенное до 650 В напряжение пробоя сток-исток способствует росту уровня надёжности системы в целом.

Datasheet
 
STB33N65M2, STF33N65M2, STP33N65M2, STI33N65M2 (794.6 Кб), 05.02.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

STB33N65M2, STF33N65M2, STP33N65M2, STI33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А (794.6 Кб), 05.02.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 184
Дата публикации: 05.02.2015 18:22
Дата редактирования: 05.02.2015 18:24


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019