FDD5810 N-Channel Logic Level Trench MOSFET

 

Блок-схема

FDD5810, N-Channel Logic Level Trench MOSFET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 60
RDS(ON) 10 В,мОм 18
ID 37
PD,Вт 72
Корпус TO-252

Общее описание

Datasheet
 
FDD5810 (449 Кб), 19.03.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FDD5810 N-Channel Logic Level Trench MOSFET (449 Кб), 19.03.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 727 Дата публикации: 19.03.2009 12:56
Дата редактирования: 20.03.2009 23:24


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019