Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTQ40N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 170 170 170 170 170 40 540 TO-3P
IXTQ150N06P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 60 10 10 10 10 10 150 480 TO-3P
IXTQ22N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 350 350 350 350 350 22 400 TO-3P
FQA19N60 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 300 74 300 TO-3P
IXTQ460P2 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 270 270 270 270 270 24 480 TO-3P
FDA20N50 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 200 22 280 TO-3P
FQA38N30 300V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 300 - - - - 65 38.4 290 TO-3P
IXTQ220N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-3P
IXTQ30N600P PolarHV Power MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 30 540 TO-3P
TK12J60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 360 12 144 TO-3P
IXTQ470P2 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 145 145 145 145 145 42 830 TO-3P
IXFQ22N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 360 360 360 360 360 22 500 TO-3P
IXTQ86N25T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 37 37 37 37 37 86 540 TO-3P
FQH44N10_F133 100V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 100 - - - - 30 48 180 TO-247
TO-3P
TO-3PF
IXFQ50N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 145 145 145 145 145 50 1040 TO-3P
IXTQ62N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 40 40 40 40 40 62 350 TO-3P
IXTQ152N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 7 7 7 7 7 152 360 TO-3P
IXTQ60N20T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 40 40 40 40 40 60 500 TO-3P
IXTQ26P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 170 170 170 170 170 -26 300 TO-3P
IXFQ28N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 260 260 260 260 260 28 695 TO-3P
Страницы: предыдущая 1 ... 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники