Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMN55D0UT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 - - - - - 0.16 0.2 SOT-523
BSS138DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 - - - - 3500 0.2 0.2 SOT-363
DMN2004WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 700 - - 400 - 0.54 0.2 SOT-323
2N7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1200 0.115 0.2 SOT-23-3
2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 13500 0.115 0.2 SOT-323
DMN2004DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.2 SOT-363
BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.2 SOT-23-3
2N7002DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 4400 0.115 0.2 SOT-363
DMN66D0LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-323
Si1039X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 12 230 - 180 140 - 0.95 0.17 SC89-6
DMP2104V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 180 - - 92 - -0.86 0.17 SOT-563
DMP2004TK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
DMN601TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 2000 0.3 0.15 SOT-523
DMN5L06TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 1800 - - - - 0.28 0.15 SOT-523
BSS84V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.13 0.15 SOT-563
DMP22D6UT P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
Si1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.15 SC75A
Si1012R N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 1250 - 850 700 - 0.5 0.15 SC75A
DMN2004TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 700 - - 400 - 0.54 0.15 SOT-523
2N7002VAC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019