Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMN66D0LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-323
STB160N75F3 N-channel 75V - 3.5m? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 75 - - - - 3.2 120 330 D2-PAK
IXFR24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 420 420 420 420 420 13 208 ISOPLUS247
IXTY08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-252
IRFU2407 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 26 42 110 I-PAK
IXTP60N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 100 18 18 18 18 18 60 176 TO-220
IRF530PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 160 14 88 TO-220AB
FSGM0565R Силовой ключ с режимом Green (FPS™) Fairchild Semiconductor MOSFET
ШИМ
- - 650 - - - - 1.8 0.00025 - TO-220F
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019