IXTV110N25TS N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTV110N25TS, N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 250
RDS(ON) 1.8 В,мОм 24
RDS(ON) 2,7 В,мОм 24
RDS(ON) 2,5 В,мОм 24
RDS(ON) 4.5 В,мОм 24
RDS(ON) 10 В,мОм 24
ID 110
PD,Вт 694
Корпус PLUS220SMD

Общее описание

Datasheet
 
IXTH110N25T, IXTV110N25TS (174.8 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH110N25T, IXTV110N25TS Trench Gate Power MOSFET (174.8 Кб), 19.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 505 Дата публикации: 19.02.2009 13:14
Дата редактирования: 20.01.2012 13:12


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019