Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
2N7002VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
NTJD4401N Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection ON Semiconductor MOSFET
 N 2 20 - - - 290 - 0.63 0.91 SC-88
Si7960DP Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 60 - - - 20 17 6.2 1.4 PowerPAK_SO-8
IRF7103IPBF HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 2 50 - - - 200 130 3 2 SOIC-8
MAX15025A 16нс, двухканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
 - 2 - - - - - - 8 - TDFN-10
Si4834BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
 N 2 30 - - - 24 17 5.7 1.1 SOIC-8
IRF5850 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 P 2 20 - - 220 135 - 2.2 0.96 TSOP-6
FDC6401N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 20 - - - 50 - 3 0.96 SSOT-6
FDS6911 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 20 - - - 13 10.6 7.5 1.6 SOIC-8
NTGD1100L Power MOSFET 8 V, ±3.3 A, Load Switch with Level?Shift, P?Channel, TSOP?6 ON Semiconductor MOSFET
 P 2 8 80 - - 40 - 3.3 0.83 TSOP-6
SQJ980EP Automotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 °C MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 75 - - - 70 50 8 34 PowerPAK_SO-8
IRFI4212H-117P HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 2 100 - - - - 72.5 11 18 TO-220
2N7002V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
NTJD4152P Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 ON Semiconductor MOSFET
 P 2 -20 600 - - 215 - -0.88 0.272 SC-88
IRF7103Q HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 2 50 - - - 200 130 3 2.4 SOIC-8
FDP8870 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 20 - - - 16.5 - 7.3 1.6 FLMP
IXTL2x180N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 2 100 9 9 9 9 9 100 150 ISOPLUS_i5
CSD86350Q5D Силовой блок NexFET™ Texas Instruments MOSFET
 - 2 25 - - - 6.6 - 0.001 2.8 SON-8
Si4830ADY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
 N 2 30 - - - 24 17 5.7 1.1 SOIC-8
IRF7104 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 P 2 20 - - - 400 250 2.3 2 SOIC-8
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники