Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
TN2540N8-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 400 - - - 8000 8000 0.75 1.6 SOT-89
TN2540N3-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 400 - - - 8000 8000 0.75 0.74 TO-92
Si1033X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 2 20 15000 - 12000 8000 - 0.15 0.25 SC89-6
Si1031X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 20 15000 - 12000 8000 - 0.155 0.3 SC89-3
Si1025X P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 2 60 - - - 8000 4000 0.19 0.25 SC89-6
Si1031R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 20 15000 - 12000 8000 - 0.155 0.3 SC75A
Si1021R P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 60 - - - 8000 4000 0.19 0.25 SC75A
ZXM41N10F SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D MOSFET Zetex MOSFET
 N 1 100 - - - 8000 - 0.17 0.36 SOT-23-3
CPC5602 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
 N 1 350 8000 8000 8000 8000 8000 0.13 1.6 SOT-223-4
IXTN5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 700 miniBLOC
IXTX5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 PLUS247
IXTK5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 TO-264
IXTY1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-252
IXTU1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-251
IXTP1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-220
BST82 N-канальный полевой транзистор NXP MOSFET
 N 1 100 - - - 10000 - 0.19 0.83 SOT-23-3
IXTY1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-252
IXTP1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-220AB
IXTA1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-263
TN2535 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 350 - - - 10000 10000 1 1.6 SOT-89
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники