Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFN30N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 350 350 350 350 350 30 890 SOT-227 B
IXFB30N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 350 350 350 350 350 30 1250 PLUS264
IXFX26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 460 460 460 460 460 26 960 PLUS247
STU1N120 N-channel 1200 V - 30 ? - 500 mA - IPAK Zener - protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 30000 0.5 45 I-PAK
IXFK26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 460 460 460 460 460 26 960 TO-264
STP1N120 N-channel 1200 V - 30 ? - 500 mA - TO-220 Zener - protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 30000 0.5 45 TO-220
IXFL32N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 340 340 340 340 340 24 520 ISOPLUS_i5
IXFN26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 460 460 460 460 460 23 695 SOT-227 B
IXFN20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 570 570 570 570 570 20 595 SOT-227 B
IXFX20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 PLUS247
STP5N120 N-channel 1200V - 2.8? - 4.4A - TO-220 Zener - protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 2800 4.4 160 TO-220
IXFK20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 TO-264
IXFL30N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 380 380 380 380 380 18 357 ISOPLUS_i5
IXFR26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 500 500 500 500 500 15 320 ISOPLUS247
IXFR20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 630 630 630 630 630 13 290 ISOPLUS247
IXFV12N120PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220SMD
IXTP02N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 75000 75000 75000 75000 75000 0.2 33 TO-220
IXFV12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220
SCT30N120 Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 80 45 270 HiP-247
IXTY02N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 75000 75000 75000 75000 75000 0.2 33 TO-252




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019