Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
BSC039N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 60 - - - - 3.9 100 69 SuperSO8
BSC031N06NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 60 В, 100 А, 3.1 мОм Infineon Technologies MOSFET
 N 1 60 - - - - 3.1 100 139 SON-8
BSC028N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 60 - - - - 2.8 100 83 SuperSO8
BSC028N06LS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 60 В, 100 А, 2.8 мОм Infineon Technologies MOSFET
 N 1 60 - - - 4.8 2.8 100 139 SON-8
BSC026NE2LS5 Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 25 - - - 4 2.6 82 29 SuperSO8
BSC022N04LS Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS Infineon Technologies MOSFET
 N 1 40 - - - 3.2 2.2 100 69 SON-8
BSC019N02KS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 20 В, 100 А, 1.95 мОм Infineon Technologies MOSFET
 N 1 20 - 3 - 1.95 - 100 104 SON-8
BSC017N04NS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 40 В, 100 А, 1.7 мОм Infineon Technologies MOSFET
 N 1 40 - - - - 1.7 100 139 SON-8
BSC016N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 60 - - - - 1.6 100 139 SuperSO8
BSC016N04LS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 40 В, 100 А, 1.6 мОм Infineon Technologies MOSFET
 N 1 40 - - - 2.3 1.6 100 139 SON-8
BSC014N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 60 - - - - 1.45 100 156 SuperSO8
BSC014N04LSI Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 40 - - - 2 1.45 100 96 SuperSO8
BSC014N04LS Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 40 - - - 1.9 1.4 100 96 SuperSO8
BSC011N03LS Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS Infineon Technologies MOSFET
 N 1 30 - - - 1.4 1.1 100 96 SON-8
BSC010NE2LS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 25 В, 100 А, 1.0 мОм Infineon Technologies MOSFET
 N 1 25 - - - 1.3 1 100 96 SON-8
BSC010N04LSI Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 40 - - - 1.4 1.05 100 139 SuperSO8
BSC010N04LS Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
 N 1 40 - - - - 1.3 100 139 SuperSO8
BSC009NE2LS5I Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 25 - - - 1.35 0.95 100 74 SuperSO8
BSC009NE2LS5 Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 25 - - - 1.25 0.9 100 74 SuperSO8
BSB056N10NN3 G MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ Infineon Technologies MOSFET
 N 1 100 - - - - 5.6 83 78 CanPAK M
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники