Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRF634S HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 450 8.1 74 D2-PAK
STF12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 25 TO-220FP
FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 3.6 3.1 80 187 TO-263AB
IRF8707PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 17.5 11.9 11 2.5 SOIC-8
IXFK90N20Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 22 22 22 22 22 90 500 TO-264AA
IXFV12N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 PLUS220
STB300NH02L N-channel 24V - 120A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 24 - - - - 2.1 120 300 D2-PAK
Si3867DV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 - - 81 41 - 3.9 1.1 TSOP-6
STP8NM60N N-channel 600 V - 0.56 ? - 7 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 560 7 70 TO-220
IXTA1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-263
SQJ850EP Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - 32 23 24 11 PowerPAK_SO-8
Si7194DP N-Channel 25-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 25 - - - 2 16 60 83 PowerPAK_SO-8
TSM3401CX P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 90 60 -3 1.25 SOT-23-3
STN1NK60Z N-channel 600V - 13? - 0.8A - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 13000 0.3 3.3 SOT-223-4
FDS3590 80V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 32 6.5 2.5 SOIC-8
IRF1312 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 80 - - - - 10 95 210 TO-220AB
BSC060N10NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 100 В, 90 А, 6.0 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 6 90 125 SON-8
IXTH90P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -90 462 TO-247
IPP015N04NG Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - - 1.5 120 250 TO-220-3 ISO
PHB191NQ06LT N-channel Trenchmos (tm) logic level FET NXP MOSFET
N 1 55 - - - 3.5 3.1 75 300 D2-PAK




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019