Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IRF634S | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 450 | 8.1 | 74 |
D2-PAK |
|
STB300NH02L | N-channel 24V - 120A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 24 | - | - | - | - | 2.1 | 120 | 300 |
D2-PAK |
|
IXFV12N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 463 |
|
|
IXFK90N20Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 22 | 22 | 22 | 22 | 22 | 90 | 500 |
|
|
FDB8030L | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.6 | 3.1 | 80 | 187 |
|
|
STF12NM60N | N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 350 | 10 | 25 |
|
|
IRF8707PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 17.5 | 11.9 | 11 | 2.5 |
SOIC-8 |
|
Si3867DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | 81 | 41 | - | 3.9 | 1.1 |
|
|
STP8NM60N | N-channel 600 V - 0.56 ? - 7 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 560 | 7 | 70 |
TO-220 |
|
TSM3401CX | P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -3 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 90 | 60 | -3 | 1.25 |
SOT-23-3 |
|
SQJ850EP | Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 32 | 23 | 24 | 11 |
PowerPAK_SO-8 |
|
IXTA1N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 1 | 63 |
|
|
Si7194DP | N-Channel 25-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2 | 16 | 60 | 83 |
PowerPAK_SO-8 |
|
PHB191NQ06LT | N-channel Trenchmos (tm) logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 3.5 | 3.1 | 75 | 300 |
D2-PAK |
|
IXTH90P10P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | -90 | 462 |
|
|
BSC060N10NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 100 В, 90 А, 6.0 мОм | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6 | 90 | 125 |
|
|
FDS3590 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 32 | 6.5 | 2.5 |
SOIC-8 |
|
STN1NK60Z | N-channel 600V - 13? - 0.8A - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 13000 | 0.3 | 3.3 |
SOT-223-4 |
|
IRF1312 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 10 | 95 | 210 |
TO-220AB |
|
IPP015N04NG | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.5 | 120 | 250 |
|