IXFX26N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFX26N90, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 900
RDS(ON) 1.8 В,мОм 300
RDS(ON) 2,7 В,мОм 300
RDS(ON) 2,5 В,мОм 300
RDS(ON) 4.5 В,мОм 300
RDS(ON) 10 В,мОм 300
ID 26
PD,Вт 560
Корпус PLUS247

Общее описание

Особенности:

  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFx25N90 (128.2 Кб), 16.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx25N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (128.2 Кб), 16.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 292
Дата публикации: 16.01.2012 13:49
Дата редактирования: 16.01.2012 13:50


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019