Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTK120P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 30 30 30 30 30 -120 1040 TO-264
IXFX64N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 96 96 96 96 96 64 1040 PLUS247
IXFK64N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 96 96 96 96 96 64 1040 TO-264
IXFT50N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 145 145 145 145 145 50 1040 TO-268
IXFN320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 260 1070 SOT-227
IXFN360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 4 4 4 4 4 310 1070 SOT-227
IXFN300N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 295 1070 SOT-227
IXFN210N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 10.5 10.5 10.5 10.5 10.5 188 1070 SOT-227 B
IXFN420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 420 1070 SOT-227
IXFN230N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 220 1090 SOT-227
IXFX78N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 68 68 68 68 68 78 1130 PLUS247
IXFK78N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 68 68 68 68 68 78 1130 TO-264
IXFK64N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 95 95 95 95 95 65 1130 TO-264
IXFX64N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 95 95 95 95 95 65 1130 PLUS247
IXFN50N80Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 160 160 160 160 160 50 1135 SOT-227 B
19MT050XF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 4 500 - - - - 210 31 1140 MTP
IXFK170N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 11 11 11 11 11 170 1150 TO-264
IXFX170N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 11 11 11 11 11 170 1150 PLUS247
STAC4932B N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор STMicroelectronics MOSFET
 N 1 250 - - - - - 0.001 1200 STAC244B
IXFX44N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 190 190 190 190 190 44 1200 PLUS247
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники