Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSS138DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 - - - - 3500 0.2 0.2 SOT-363
DMP2104LP P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 180 - - 92 - -1.5 0.5 DFN1411-3
DMN3115UDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 40 - 3.2 0.9 SOT-26
DMN2170U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 - - - 50 - 2.3 0.6 SOT-23-3
DMN5L06K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.35 SOT-23-3
DMP2215L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - - 80 - -2.7 1.08 SOT-23-3
DMN4800LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 14 11 10 2.5 SOP-8L
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - - 6000 0.17 0.36 SOT-23-3
DMG6968U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 28 - - 21 - 6.5 0.81 SOT-23-3
2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 4400 0.115 0.15 SOT-523
DMP2004VK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.53 0.4 SOT-563
DMN3033LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 30 - - - 33 22 6.9 2 SOP-8L
DMN601WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - 3000 2000 0.8 0.2 SOT-323
DMP3030SN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - - 350 200 -0.7 0.5 SC-59
DMP57D5UV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.16 0.4 SOT-563
DMP3035LSS SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 19 12 -12 2.5 SOP-8L
DMP58D0SV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.16 0.4 SOT-563
DMN2009LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 - - - 9 8 12 2 SOP-8L
BSS138W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 1400 0.2 0.3 SOT-323
DMP2104V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 180 - - 92 - -0.86 0.17 SOT-563




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019