Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTH3N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1500 7300 7300 7300 7300 7300 3 250 TO-247
IXTY2N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 7500 7500 7500 7500 7500 2 86 TO-252
IXTP2N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 7500 7500 7500 7500 7500 2 86 TO-220
IXTA2N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 7500 7500 7500 7500 7500 2 86 TO-263
IXTP2R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 7500 7500 7500 7500 7500 2.4 125 TO-220
IXTH2R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 7500 7500 7500 7500 7500 2.4 125 TO-247
IXTA2R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 7500 7500 7500 7500 7500 2.4 125 TO-263
CPC5602 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
 N 1 350 8000 8000 8000 8000 8000 0.13 1.6 SOT-223-4
IXTN5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 700 miniBLOC
IXTX5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 PLUS247
IXTK5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 TO-264
Si1034X N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 20 9000 - 7000 5000 - 0.18 0.25 SC89-6
FDY301NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 20 9000 - - 5000 - 0.2 0.625 SC?89
Si1032X N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 9000 - 7000 5000 - 0.2 0.3 SC89-3
Si1032R N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 9000 - 7000 5000 - 0.2 0.3 SC75A
IXTY1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-252
IXTU1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-251
IXTP1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-220
IXTY1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-252
IXTP1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-220AB
Страницы: предыдущая 1 ... 423 424 425 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники