Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
CSD16321Q5C N-канальный силовой MOSFET DualCool™ NexFET™ Texas Instruments MOSFET
N 1 25 - - - 2.1 - 100 3.1 SON-8
CSD16321Q5 N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs Texas Instruments MOSFET
N 1 25 - - - 2.1 - 100 3.1 QFN-8
CSD16301Q2 N-канальный силовой MOSFET NexFET™ Texas Instruments MOSFET
N 1 25 - - - 23 - 5 2.3 SON-6
CPC5603 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 415 14000 14000 14000 14000 14000 0.13 2.5 SOT-223-4
CPC5602 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 8000 8000 8000 8000 8000 0.13 1.6 SOT-223-4
CPC3730C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 30000 30000 30000 30000 30000 0.14 1.6 SOT-89
CPC3720C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 22000 22000 22000 22000 22000 0.13 1.6 SOT-89
CPC3714C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 14000 14000 14000 14000 14000 0.24 1.6 SOT-89
CPC3710C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 10000 10000 10000 10000 10000 0.22 1.6 SOT-89
CPC3703C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 4000 4000 4000 4000 4000 0.36 1.6 SOT-89
BUZ32H3045A SIPMOS™ Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 300 9.5 75 TO-263-3
BUZ31H3045A SIPMOS™ Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 160 14.5 95 TO-263-3
BUZ30AH3045A SIPMOS™ Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 130 21 125 TO-263-3
BUK9Y40-55B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 55 - - - 34 - 26 59 SOT-669
BUK9Y3R0-40E N-канальный MOSFET-транзистор, 40 В, совместимый с логическим уровнем сигналов и выполненный в корпусе LFPAK-56 NXP MOSFET
N 1 40 - - - 3 - 100 194 PowerSO-8
BUK9Y30-75B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 75 - - - 25 - 34 85 SOT-669
BUK9Y19-55B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 55 - - - 16.3 - 46 85 SOT-669
BUK9Y14-40B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 40 - - - 12 - 56 85 SOT-669
BUK7Y13-40B N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 40 - - - 11 - 58 85 SOT-669
BTF3050TE Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ с функцией защиты Infineon Technologies MOSFET
N 1 5 - - - 100 - 3 - TO-252-5




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019