Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXFE50N50 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 47 | 500 |
|
| STP23NM60ND | N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 20 | 150 |
TO-220 |
| NTB90N02 | Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts N?Channel D2PAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 24 | - | - | - | 7.5 | 5 | 90 | 85 |
D2-PAK |
| IXZ2210N50L | RF Power MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1000 | 10 | 940 |
|
| FDS4672A | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 10 | - | 11 | 2.5 |
SOIC-8 |
| IRFB4233PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 230 | - | - | - | - | 37 | 56 | 370 |
TO-220AB |
| CSD16401Q5 | N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs |
|
Texas Instruments |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1.8 | 1.3 | 100 | 3.1 |
|
| PHD34NQ10T | N-канальный TrenchMOS™ транзистор |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 35 | 35 | 136 |
D-PAK |
| STF15NM60ND | N-channel 600 V - 0.27 ? - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 270 | 14 | 30 |
|
| IXTP12N50PM | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 6 | 50 |
|
| IXFK360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 360 | 1670 |
|
| FQPF4N80 | 800V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 2800 | 2.2 | 43 |
TO-220F |
| IXTH20N60 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | 20 | 300 |
|
| STP11NK40ZFP | N-channel 400V - 0.49Ом - 9A TO-220FP Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 490 | 9 | 30 |
|
| STP2NK90Z | N-channel 900V - 5? - 2.1A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5000 | 2.1 | 70 |
TO-220 |
| IXTA90N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 8.4 | 8.4 | 8.4 | 8.4 | 8.4 | 90 | 150 |
|
| BSZ097N10NS5 | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 9.7 | 40 | 69 |
|
| NDS7002A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1200 | 0.28 | 0.3 |
SOT-23-3 |
| IRF3205S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 8 | 75 | 200 |
D2-PAK |
| IRL530S | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 160 | 15 | 88 |
D2-PAK |
