Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
||
Si4618DY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
![]() |
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 9.5 | 8.3 | 15.2 | 4.16 |
SOIC-8 |
VN10LP | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
![]() |
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 5000 | 0.27 | 0.625 |
TO-92 |
STP23NM60ND | N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) |
![]() |
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 20 | 150 |
TO-220 |
IXFE50N50 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
![]() |
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 47 | 500 |
|
STF15NM60ND | N-channel 600 V - 0.27 ? - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP |
![]() |
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 270 | 14 | 30 |
|
IXFK360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
![]() |
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 360 | 1670 |
|
IRFB4233PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
![]() |
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 230 | - | - | - | - | 37 | 56 | 370 |
TO-220AB |
IXTP12N50PM | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
![]() |
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 6 | 50 |
|
FDS4672A | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 10 | - | 11 | 2.5 |
SOIC-8 |
PHD34NQ10T | N-канальный TrenchMOS™ транзистор |
![]() |
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 35 | 35 | 136 |
D-PAK |
CSD16401Q5 | N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs |
![]() |
Texas Instruments |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1.8 | 1.3 | 100 | 3.1 |
|
STP2NK90Z | N-channel 900V - 5? - 2.1A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET |
![]() |
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5000 | 2.1 | 70 |
TO-220 |
BSZ097N10NS5 | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ |
![]() |
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 9.7 | 40 | 69 |
|
IXTA90N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
![]() |
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 8.4 | 8.4 | 8.4 | 8.4 | 8.4 | 90 | 150 |
|
FQPF4N80 | 800V N-Channel MOSFET |
![]() |
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 2800 | 2.2 | 43 |
TO-220F |
STP11NK40ZFP | N-channel 400V - 0.49Ом - 9A TO-220FP Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET |
![]() |
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 490 | 9 | 30 |
|
IXTH20N60 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
![]() |
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | 20 | 300 |
|
STN1HNK60 | N-CHANNEL 600V - 8? - 1A SOT-223 SuperMESH™ MOSFET |
![]() |
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 8 | 0.4 | 3.3 |
SOT-223-4 |
IXFK80N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
![]() |
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 80 | 1300 |
|
IRF3205S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
![]() |
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 8 | 75 | 200 |
D2-PAK |