Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFE50N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 100 100 100 100 100 47 500 ISOPLUS247
STP23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 150 TO-220
NTB90N02 Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts N?Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 24 - - - 7.5 5 90 85 D2-PAK
IXZ2210N50L RF Power MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 - - - - 1000 10 940 DE275X2
FDS4672A 40V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 10 - 11 2.5 SOIC-8
IRFB4233PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 230 - - - - 37 56 370 TO-220AB
CSD16401Q5 N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs Texas Instruments MOSFET
N 1 25 - - - 1.8 1.3 100 3.1 QFN-8
PHD34NQ10T N-канальный TrenchMOS™ транзистор NXP MOSFET
N 1 100 - - - - 35 35 136 D-PAK
STF15NM60ND N-channel 600 V - 0.27 ? - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 270 14 30 TO-220FP
IXTP12N50PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 500 500 500 500 500 6 50 TO-220-3 ISO
IXFK360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 4 4 4 4 4 360 1670 TO-264
FQPF4N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 2800 2.2 43 TO-220F
IXTH20N60 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 350 350 350 350 350 20 300 TO-247AD
STP11NK40ZFP N-channel 400V - 0.49Ом - 9A TO-220FP Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 400 - - - - 490 9 30 TO-220FP
STP2NK90Z N-channel 900V - 5? - 2.1A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 900 - - - - 5000 2.1 70 TO-220
IXTA90N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 8.4 8.4 8.4 8.4 8.4 90 150 TO-263
BSZ097N10NS5 MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 9.7 40 69 TSDSON-8
NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1200 0.28 0.3 SOT-23-3
IRF3205S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 8 75 200 D2-PAK
IRL530S HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 160 15 88 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019