Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
Si4618DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 9.5 8.3 15.2 4.16 SOIC-8
VN10LP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.27 0.625 TO-92
STP23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 150 TO-220
IXFE50N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 100 100 100 100 100 47 500 ISOPLUS247
STF15NM60ND N-channel 600 V - 0.27 ? - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 270 14 30 TO-220FP
IXFK360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 4 4 4 4 4 360 1670 TO-264
IRFB4233PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 230 - - - - 37 56 370 TO-220AB
IXTP12N50PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 500 500 500 500 500 6 50 TO-220-3 ISO
FDS4672A 40V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 10 - 11 2.5 SOIC-8
PHD34NQ10T N-канальный TrenchMOS™ транзистор NXP MOSFET
N 1 100 - - - - 35 35 136 D-PAK
CSD16401Q5 N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs Texas Instruments MOSFET
N 1 25 - - - 1.8 1.3 100 3.1 QFN-8
STP2NK90Z N-channel 900V - 5? - 2.1A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 900 - - - - 5000 2.1 70 TO-220
BSZ097N10NS5 MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 9.7 40 69 TSDSON-8
IXTA90N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 8.4 8.4 8.4 8.4 8.4 90 150 TO-263
FQPF4N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 2800 2.2 43 TO-220F
STP11NK40ZFP N-channel 400V - 0.49Ом - 9A TO-220FP Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 400 - - - - 490 9 30 TO-220FP
IXTH20N60 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 350 350 350 350 350 20 300 TO-247AD
STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8? - 1A SOT-223 SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 8 0.4 3.3 SOT-223-4
IXFK80N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 70 70 70 70 70 80 1300 TO-264
IRF3205S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 8 75 200 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019