Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFP4N100PM | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 2.5 | 57 |
|
|
TN2640LG-G | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | 3200 | 3000 | 4 | 1.3 |
SOIC-8 |
|
TN2640K4-G | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | 3200 | 3000 | 4 | 2.5 |
D-PAK TO-252 |
|
TN2640N3-G | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | 3200 | 3000 | 4 | 0.74 |
TO-92 |
|
FDC6301N | Dual N-Channel , Digital FET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 25 | - | - | 3800 | 3100 | - | 0.22 | 0.9 |
SSOT-6 |
|
FDV301N | Digital FET , N-Channel | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | 3800 | 3100 | - | 0.22 | 0.35 |
SOT-23-3 |
|
DMN601WK | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3000 | 2000 | 0.8 | 0.2 |
SOT-323 |
|
DMN601VK | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | 3000 | 2000 | 0.305 | 0.25 |
|
|
IXFT4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 4 | 150 |
|
|
Si1926DL | Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | 3000 | 1400 | 0.37 | 0.51 |
SC70-6 |
|
IXFH4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 4 | 150 |
|
|
SiA850DJ | N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 190 | 3500 | - | 3200 | 3000 | - | 0.95 | 7 |
PowerPAK SC70-6 |
|
IXFP4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 4 | 150 |
|
|
Si1029X | Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N+P | 2 | 60 | - | - | - | 3000 | 1300 | 0.3 | 0.25 |
SC89-6 |
|
IXFA4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 4 | 150 |
TO-220 |
|
Si1026X | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | 3000 | 1400 | 0.305 | 0.25 |
SC89-6 |
|
IXFR4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3.5 | 80 |
|
|
Si1022R | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3000 | 1250 | 0.33 | 0.25 |
SC75A |
|
IXFP4N100QM | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 2.2 | 46 |
|
|
NTK3142P | Small Signal MOSFET ?20 V, ?280 mA, P?Channel with ESD Protection, SOT?723 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 6100 | - | - | 2900 | - | -0.26 | -0.4 |
|