Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFP4N100PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 2.5 57 TO-220-3 ISO
TN2640LG-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 400 - - - 3200 3000 4 1.3 SOIC-8
TN2640K4-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 400 - - - 3200 3000 4 2.5 D-PAK
TO-252
TN2640N3-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 400 - - - 3200 3000 4 0.74 TO-92
FDC6301N Dual N-Channel , Digital FET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 25 - - 3800 3100 - 0.22 0.9 SSOT-6
FDV301N Digital FET , N-Channel Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 25 - - 3800 3100 - 0.22 0.35 SOT-23-3
DMN601WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - 3000 2000 0.8 0.2 SOT-323
DMN601VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - 3000 2000 0.305 0.25 SOT-563
IXFT4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-268
Si1926DL Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 60 - - - 3000 1400 0.37 0.51 SC70-6
IXFH4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-247AD
SiA850DJ N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode Vishay MOSFET
N 1 190 3500 - 3200 3000 - 0.95 7 PowerPAK SC70-6
IXFP4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-263
Si1029X Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N+P 2 60 - - - 3000 1300 0.3 0.25 SC89-6
IXFA4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-220
Si1026X N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 60 - - - 3000 1400 0.305 0.25 SC89-6
IXFR4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 3.5 80 ISOPLUS247
Si1022R N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor Vishay MOSFET
N 1 60 - - - 3000 1250 0.33 0.25 SC75A
IXFP4N100QM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 2.2 46 TO-220-3 ISO
NTK3142P Small Signal MOSFET ?20 V, ?280 mA, P?Channel with ESD Protection, SOT?723 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 6100 - - 2900 - -0.26 -0.4 SOT-723
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019