Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTT12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-268
IXTY3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-252
IXTP3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-220
IXFP3N50PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 2.7 36 TO-220-3 ISO
IXTA3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-263
IXFM6N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 6 180 TO-204AA
IXFH6N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 6 180 TO-247AD
NTUD3171PZ Small Signal MOSFET ?20 V, ?200 mA, Dual P?Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT?963 Package ON Semiconductor MOSFET
 P 2 -20 3400 - 2000 - - -200 -125 SOT?963
IXTP4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-220
IXTA4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-263
IXTH5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-247AD
IXTM5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-204AA
IXTY4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-252
IXTU4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-251
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
IXFP7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-220
IXFA7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-263
IXFH7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-247
IXFT6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-268
IXFH6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-247AD
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники