Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STW14NM65N N-channel 650 V, 0.33 ?, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 330 12 125 TO-247
IXFA5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-263
PH4840S N-channel TrenchMOS intermediate level FET NXP MOSFET
N 1 40 - - - - 3.5 94.5 62.5 SOT-669
FQA13N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 390 13.5 218 TO-3PN
IRLR3714Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - 25 15 37 35 D-PAK
IPB038N12N3 Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 120 В, 120 А, 3.8 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 120 - - - - 3.8 120 300 D2-PAK
STB30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 190 D2-PAK
TSM8N80CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 1400 8 250 TO-220
STD90N4F3 N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, DPAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 D-PAK
IXFX44N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 190 190 190 190 190 44 1200 PLUS247
IRFP350LCPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 300 16 190 TO-247AC
SUM47N10-24L N-Channel 100-V (D-S) 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - 21 19 47 136 D2-PAK
FQU20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 46 17.2 38 I-PAK
IRFSL4227PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 26 62 330 TO-262
IPB120N06S4-02 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2 120 188 TO-263-3
STF25NM50N N-channel 500V - 0.11? - 22A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 110 22 40 TO-220FP
PSMN012-25YLC N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower NXP MOSFET
N 1 25 12.6 12.6 12.6 12.6 12.6 33 26 SOT-669
IXFK170N10P PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISSI MOSFET
N 1 100 - - - - 9 170 714 TO-264
IRF840AL HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 8 125 TO-262
DMN3052L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 33 26 5.4 1.4 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019