Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFA230N075T2 N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-263
IXFP230N075T2 N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-220AB
IXFK170N20T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 230 1670 TO-264
IXFN230N10 N-канальный силовой MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6 6 6 6 6 230 700 SOT-227
IXFX170N20T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 230 1670 PLUS247
IXFA230N075T2-7 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-263-7
IXTA230N075T2-7 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-263-7
IXTA220N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-263
IXTP220N055T TrencN-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-220
IXFX220N15P Polar Power MOSFET HiperFET IXYS MOSFET
 N 1 150 - - - - 9 220 1250 PLUS247
IXFK220N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 9 9 9 9 9 220 1250 TO-264
IXTQ220N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 220 480 TO-3P
IXFK220N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 6.3 6.3 6.3 6.3 6.3 220 1250 TO-264
IXTH220N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 220 480 TO-247
IXFX220N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 6.3 6.3 6.3 6.3 6.3 220 1250 TO-247
IXTA220N075T7 N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 220 480 TO-263-7
IXTP220N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 220 480 TO-220
IXTA220N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 220 480 TO-263
IRF3805S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - - 3.3 220 130 D2-PAK
NTUD3170NZ Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N?Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT?963 Package ON Semiconductor MOSFET
 N 2 20 1.4 - - 0.75 - 220 125 SOT?963
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники